МИСиС

Кафедра материаловедения полупроводников основана в 1963 г. и была первой в стране, создавшей научную школу материаловедения полупроводников и обеспечившей усиление материаловедческого образования у специалистов, выпускаемых всеми кафедрами факультета полупроводниковых материалов и приборов МИСиС, а затем и ряда других вузов. 

Основателем и первым заведующим кафедрой являлся проф., д. т. н. Семен Самуилович Горелик (1963-1988 г.г.) - известный ученый в области материаловедения и педагог с мировым именем, заслуженный деятель науки и техники РФ. Затем кафедрой заведовал проф., д.ф.-м.н. А. А. Галаев (1988-1998 г.г.). С 1998 года кафедрой руководит проф, д.ф.-м.н., лауреат премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники Ю. Н. Пархоменко. 

В 2006 г. кафедра материаловедения полупроводников была объединена с кафедрой кристаллографии и стала называться кафедрой материаловедения полупроводников и диэлектриков. Объединение педагогического и научного- потенциалов двух кафедр, двух научных школ открыло возможность готовить специалистов широкого профиля для научной и производственной работы в области разработки, исследования и производства различных материалов (полупроводники, диэлектрики, металлы), используемых в микро- и наноэлектронике, оптоэлектронике, солнечной энергетике, силовой электронике и в устройствах отображения информации.

Кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков готовит специалистов широкого профиля для научной и производственной работы в области аналитических методов исследования, разработки и производства различных материалов, в том числе биосовместимых материалов (полупроводники, диэлектрики, металлы), используемых в микро- и наноэлектронике, оптоэлектронике, солнечной энергетике, силовой электронике и в устройствах отображения информации, в медицине.

На кафедре ведется подготовка аспирантов и докторантов. Выпускниками аспирантуры кафедры являются известные ученые, руководители отраслевых институтов, крупных подразделений промышленных предприятий и вузов.

Учебно-научные лаборатории кафедры:

• технологическая лаборатория синтеза наногрдиентных и нанокомпозитных функциональных плёночных структур;
• спектроскопических методов исследования;
• сканирующей зондовой микроскопии;
• рентгеноструктурного анализа;
• электронно-микроскопических методов исследования;
• оптических методов исследования;
• теплофизических измерений;
• акустических методов исследования;
• межкафедральная учебно-испытательная лаборатория полупроводниковых материалов и диэлектриков «Монокристаллы и заготовки на их основе» (сертификации монокристаллов и элементов на их основе). Аккредитована в системе Гостехрегулирования РФ. 

Кафедра располагает уникальным по мировым стандартам комплексом научно-исследовательского оборудования последнего поколения ведущих фирм мира для изучения элементного и химического состава, структуры, 

  Основные направления научных работ кафедры

•   Материаловедение объемных полупроводниковых, диэлектрических и сегнетоэлектрических материалов.
•   Технология и материаловедение тонкопленочных структур, в том числе наноградиентных оптических структур, сегнетоэлектрических и электрооптических пленок, кремний-углеродных алмазоподобных нанокомпозитов.
•   Создание и исследование объемных термоэлектрических материалов с нано- микро- и субмикронными элементами структуры.
•   Исследование акустооптических свойств материалов для функциональных устройств опто- и акусто- электроники.

Основные достижения по научным направлениям кафедры

•   Разработана технология получения пленок нанокристаллического ниобата лития с заданными электрооптическими характеристиками методом высокочастотного магнетронного распыления.
•   Разработаны программа и методики определения физических параметров экспериментальных образцов пленок ниобата лития.
•   Совместно с ОАО «Полюс» разработан метод получения наноградиентных оптических структур, предназначенных для создания перестраиваемых (адаптивных) высокодобротных резонаторов, покрытий с аномально высоким коэффициентом отражения и пропускания. Такие материалы являются новыми, прямых аналогов в РФ и за рубежом нет.
•   Разработан способ формирования упорядоченных доменных структур в пластинах монокристаллов ниобата лития методами электротермической обработки вблизи температуры фазового перехода и светового воздействия. Актюаторы на основе бидоменных структур из монокристаллического  ниобата лития найдут применение в устройствах сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ),  в системах прецизионной настройки и юстировки квантовых оптических резонаторов, в качестве волноводов с прецизионно изменяемыми геометрическими характеристиками.

Услуги, предоставляемые подразделением:

Контакты:

Заведующий кафедрой, профессор
Пархоменко Юрий Николаевич
Тел. +7 (495) 236-05-12, 
Ауд. К-411

Заместитель заведующего кафедрой МППиД, доцент
Подгорный Дмитрий Андреевич
Тел. +7 (495) 638-44-45
E-mail: dim_pod@mail.ru
Ауд. К-019

Адрес: Москва, Крымский вал, д. 3