Оборудование МИСиС

Информация
Заказ работы

Производитель:	Sunpla, Южная Корея
Вид измерений/испытаний:	Определение состава, структуры и свойств веществ и материалов
Тип оборудования:	40TM
Назначение:	Приборы и аппаратура для исследования и анализа поверхности прочие
Технические характеристики:	Предназначена для напыления металлических, диэлектрических и полупроводниковых материалов как простых веществ, так и сложных соединений. Установка позволяет напылять электрооптические, многослойные градиентные покрытия с заданными толщинами каждого слоя. Шлюзовая камера оснащена системой очистки и загрузочной кассетой с держателем на три образца диаметром 4''. Камера снабжена ионной пушкой для очистки подложки, предусмотрена подача высокочастотного потенциала на подложку. Диаметр распыляемой мишени – 2''; Максимальное давление остаточных газов – 10^-6 Торр; Максимальная температура подложки – 800 °C; Максимальный диаметр подложки – 4''; Максимальное количество газов – 3; Одновременная работа магнетронов – да; Вращение подложки – да; Количество магнетронов – 4.
Место размещения:	К, К-417
Подразделение:	ЦКП "Материаловедение и металлургия"
Контакты:	Марьина Г.
Требуемые квалификации:
Ориентировочная стоимость нормочаса:
Ссылка на прохождение обучения:

-Неделя Сегодня +Неделя

Для заказа работы на оборудовании или услуги требуется регистрация!

10:00-11:00

11:00-12:00

12:00-13:00

13:00-14:00

14:00-15:00

15:00-16:00

16:00-17:00

17:00-18:00

18:00-19:00

19:00-20:00

20:00-21:00

21:00-22:00

22:00-23:00

23:00-24:00

0:00-1:00

1:00-2:00

2:00-3:00

3:00-4:00

4:00-5:00

5:00-6:00

6:00-7:00

7:00-8:00

8:00-9:00

9:00-10:00

Пн (апр 22)

Вт (апр 23)

Ср (апр 24)

Чт (апр 25)

Пт (апр 26)

Сб (апр 27)

Вс (апр 28)

Логин:
Пароль:
	Запомнить

BackКомплекс оборудования для напыления тонких пленок Sunpla 40TM (установка магнетронного напыления)

Вход