Фото | Наименование | Подразделение | Назначение | Технические характеристики | Проведение измерений, испытаний, исследований |
---|---|---|---|---|---|
|
Анализатор температуропроводности NETZSCH LFA 457 MicroFlash | ЦКП "Материаловедение и металлургия" | Оборудование термическое | Прибор NETZSCH LFA 457 MicroFlash предназначен для определения температуро- и теплопроводности твердых материалов методом лазерной вспышки. Диапазон температур: от комнатной температуры до 1100 °C; Энергия импульса лазера: до 18 Дж/импульс; Диапазон измеряемых величин температуропроводности: 0,01 – 1000 мм2/с; Диапазон измеряемых величин теплопроводности: 0,1 – 2000 Вт/(мK); Размеры круглых образцов: ∅ 12,7 мм, толщина 0,1 – 6 мм; Размеры квадратных образцов: 10 x10 мм, толщина 0,1 – 6 мм; Газовая среда: статическая и динамическая газовая атмосфера (Ar) или вакуум. |
Заказать работу |
|
Высокотемпературный дифференциальный сканирующий калориметр DSC 404 C Pegasus | ЦКП "Материаловедение и металлургия" | Оборудование термическое | Дифференциальный сканирующий калориметр DSC 404 C Pegasus позволяет определять тепловые эффекты фазовых переходов, их температуры, а также теплоёмкость для широкого спектра конденсированных материалов. Измерения могут проводиться как в чистой газовой среде, так и в вакууме. Технические характеристики калориметра DSC 404 C Pegasus : Диапазон температур: от комнатной до 1650°C; Скорость нагрева: 0,01 – 20 K/мин.; Время охлаждения: ~ 45 мин. (от 1650 до 100°C); Воспроизводимость при определении энтальпии: < 1,5 %; Воспроизводимость при определении температуры (до 1000°C): < 0,3 K; Воспроизводимость базовой линии: < ± 1 мВт, при T < 1500°C; < ± 2,5 мВт, при T > 1500°C. |
Заказать работу |
|
Комплекс оборудования для напыления тонких пленок Sunpla 40TM (установка магнетронного напыления) | ЦКП "Материаловедение и металлургия" | Приборы и аппаратура для исследования и анализа поверхности прочие | Предназначена для напыления металлических, диэлектрических и полупроводниковых материалов как простых веществ, так и сложных соединений. Установка позволяет напылять электрооптические, многослойные градиентные покрытия с заданными толщинами каждого слоя. Шлюзовая камера оснащена системой очистки и загрузочной кассетой с держателем на три образца диаметром 4''. Камера снабжена ионной пушкой для очистки подложки, предусмотрена подача высокочастотного потенциала на подложку. Диаметр распыляемой мишени – 2''; Максимальное давление остаточных газов – 10-6 Торр; Максимальная температура подложки – 800 °C; Максимальный диаметр подложки – 4''; Максимальное количество газов – 3; Одновременная работа магнетронов – да; Вращение подложки – да; Количество магнетронов – 4. |
Заказать работу |
|
Комплекс оборудования ТеТеМ для послеростовой подготовки поверхности (фемтосекундная система; установка плазмохимической обработки) | ЦКП "Материаловедение и металлургия" | Приборы и аппаратура для исследования и анализа поверхности прочие | В комплекс оборудования для послеростовой подготовки поверхности входят: 1. Фемтосекундная система ООО «Авеста» (Россия) Предназначена для импульсного воздействия на образцы световым излучением высокой интенсивности (1010 и более Вт/см2) с целью структурной модификации материала, возбуждения электронной подсистемы, в том числе за счет реализации режима многофотонного поглощения, а также для ассистирования процесса роста тонких пленок методом высокочастотного магнетронного распыления. Технические характеристики: Длины волн излучения: 800 нм, 400 нм и 267 нм Частота повторения до 1 кГц Энергия импульса на первой гармонике >3,5 мДж Длительность импульса < 50 фс 2. Установка плазмохимической обработки «ТеТеМ» (Россия) Источник плазмы предназначен для активизации газовых реакций при пониженном давлении (1...10 Па) и позволяет генерировать ионы рабочего газа плотностью 1011 см-3. Источник плазмы состоит из трех взаимосвязанных устройств: реактор, ВЧ генератор и газовая система. Газовая система состоит из двух независимых каналов для подачи в зону реакции смеси газа-носителя и рабочего газа-прекурсора. В состав каждого канала входит полный комплект газовых элементов, необходимых для регулирования, управления и контроля газового потока. Подключение дополнительного высокочастотного генератора (и согласующего устройства соответственно) к подложкодержателю, не соединенного с корпусом установки, позволяет независимо от основного источника разряда корректировать энергию ионов. |
Заказ работ временно недоступен |
|
Микроскоп просвечивающий электронный JEOL JEM-2100 | ЦКП "Материаловедение и металлургия" | Приборы для микроскопических исследований | JEM-2100 - аналитический электронный микроскоп, включающий в себя базовый просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ) для получения электронно-микроскопических изображений и электронограмм, систему компьютерного управления, в которую интегрировано устройство наблюдения изображения в режиме просвечивающего растрового электронного микроскопа (ПРЭМ), энергодисперсионный рентгеновский спектрометр (JED-2300). |
Заказать работу |
|
Микроскоп растровый электронный низковакуумный JSM-6480LV | ЦКП "Материаловедение и металлургия" | Приборы для микроскопических исследований | Ускоряющее напряжение – от 0,3 до 30 кэВ; |
Заказать работу |
|
Многоцелевой автоматизированный рентгеновский дифрактометр Bede D1 System | ЦКП "Материаловедение и металлургия" | Оборудование для исследования строения вещества дифракционными методами | Два источника рентгеновского излучения: 2.2 кВт рентгеновская трубка (медный анод) и 80 Вт источник с точечным фокусом, замкнутая система охлаждения, защитный кожух, обеспечивающий безопасную работу оператора; |
Заказать работу |
|
Полевой эмиссионный растровый электронный микроскоп JSM-6700F с приставкой энергодисперсионного микроанализатора JED-2300F фирмы «JEOl» | ЦКП "Материаловедение и металлургия" | Приборы для микроскопических исследований | Источник первичных электронов – холодноэмиссионная полевая пушка. Разрешение: - 3.5 nm при 15 кВ; - 0,22 нм при 1 кВ. Ускоряющее напряжение – 0,5-30 кВ. Максимальный размер образца 200х200 мм, устойчивое сверхвысокое разрешение по всей площади объекта. Рабочее расстояние – 1,5-25 мм. Вакуум в: - области источника 10-8 Па - в камере 10-5 Па Разрешение EDS – 133 эВ. Анализируемые элементы от B до U (количественный анализ). Высокое разрешение и высокое качество изображения позволяют проводить количественный морфологический анализ и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур благодаря электронной пушке с холодным катодом, сверхвысокому вакууму и усовершенствованным цифровым технологиям. Приставка для энергодисперсионной спектрометрии JED-2300F позволяет осуществлять качественный и количественный анализ состава твердотельных структур с использованием метода энергодисперсионной спектрометрии. Использование программного обеспечения «Analysis Station» в операционной системе WINDOWS XP предполагает два варианта количественного анализа: 1 Функция «Дифференциальный фильтр + Метод наименьших квадратов + ZAF метод» использует справочные спектры элементов, 2 Функция «QBase» выполняет анализ, используя стандартные спектры минералов. |
Заказать работу |
|
Рентгеновский фотоэлектронный спектрометр PHI 5000 VersaProbe II | ЦКП "Материаловедение и металлургия" | Приборы и аппаратура для исследования и анализа поверхности прочие | Сканирующий рентгеновский фотоэлектронный спектрометр PHI 5000 VersaProbe II предназначен для исследования химического состава на поверхности твердых тел с возможностью визуализации поверхности исследуемых объектов во вторичных электронах, формирования карт химического состояния и профилирования по глубине. |
Заказать работу |
Система анализа поверхности органических, гибридных и биоматериалов | ЦКП "Материаловедение и металлургия" | Оборудование для изучения живых систем |
Заказ работ временно недоступен |
||
|
Сканирующий зондовый микроскоп MFP 3D Stand Аlone (Asylum Research) | ЦКП "Материаловедение и металлургия" | Приборы для микроскопических исследований | Микроскоп MFP 3DStand Аlone позволяет решать задачи в области физики, химии, материаловедения, исследования полимеров, нанолитографии, биологии и количественного анализа поверхности на наномасштабе. |
Заказать работу |
|
Сканирующий ионный микроскоп Strata FIB 205 System фирмы «FEI Company» | ЦКП "Материаловедение и металлургия" | Оборудование и приборы для масс-спектрометрии | Возможность готовить ультратонкие пробы (толщиной до 50 нм) для просвечивающего электронного микроскопа на локальных участках образца. Модификация и восстановление микросхем. |
Заказать работу |